中國近期的核心突破(2025年迄今)是二維半導體(後摩爾新賽道),有全球首顆二維—硅基混合架構閃存芯片(復旦大學,2025年10月公布),解決了存儲速率的技術難題,達到400皮秒超高速存儲,是傳統閃存的10萬倍,擁有完整自主知識產權。另有全球首款基於二維半導體材料的32位RISC-V架構微處理器「無極」(也是復旦大學,去年4月公布),集成5900個二硫化鉬晶體管,將國際紀錄提升了51倍,良率高達99.77%;此外還有12英寸晶圓雙極分立器件量產的突破(東莞松山湖實驗室,今年第一季度公布),可無縫對接主流硅基生產線,避開對荷蘭ASML光刻機(EUV)的依賴。