麻省光子技術落戶香港　擬投資逾2億

【點新聞報道】麻省光子技術（香港）有限公司（麻省光子技術）在港興建第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線於今日（30日）舉辦啟動禮，創新科技及工業局局長孫東出席本次啟動禮並致辭。他強調，香港要因地制宜發展新質生產力，第三代半導體即是香港近年來重點發展的科技領域。

孫東表示，麻省光子技術公司是全球氮化鎵外延工藝先驅企業，氮化鎵外延工藝是發展半導體的關鍵技術，能夠優化產品性能，為行業帶來革命性突破。這次麻省光子技術在港投資設立全港首個氮化鎵外延工藝全球研發中心以及微電子中心，準備投資逾2億港幣建立首條8寸車規級氮化鎵外延片中試線，加速推動香港新型工業化與微電子生態圈的發展。

此外，孫東指出，這次麻省光子技術公司落戶香港也為香港壯大創科人才庫助力。麻省光子技術公司總裁廖翊韜曾經在相關領域取得逾40項國際專利，成就非凡；他帶領的團隊由世界各地的專家組成，除了為香港帶來全球領先的前沿技術之外，更能匯聚環球微電子專業人才，促進技術交流。

孫東指出，特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將於今年內成立，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。孫東表示，之後會繼續引入更多優秀的科技企業來港投資和發展，讓微電子及其他科技產業在香港做大做強。

本次中線試的啟動標誌着香港微電子產業邁向新里程。孫東表示，特區政府會繼續完善香港創科生態圈，進一步推動香港新型工業化並為香港經濟轉型作出貢獻。

麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韜、香港科技園公司行政總裁黃克強、創新科技及工業局副局長張曼莉等人亦出席本次會議。